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國(guó)外(wài)光(guāng)子芯片(piàn)技術(shù)研究及(jí)應(yìng)用(yòng)調研報告

2024-01-01 来(lái)源:北(běi)京(jīng)太陽谷(gǔ)咨詢有限公(gōng)司 價格:1.5万(wàn)元(yuán)     法(fǎ)務(wù)聲明(míng):內(nèi)參資料 侵權必究

【正(zhèng)文(wén)目录(lù)】

 第(dì)一(yī)章(zhāng) 國(guó)外(wài)光(guāng)子芯片(piàn)技術(shù)发展(zhǎn)及(jí)應(yìng)用(yòng)概述

        第(dì)一(yī)节(jié) 光(guāng)子芯片(piàn)概述

              一(yī)、光(guāng)子芯片(piàn)定义

              二(èr)、光(guāng)子芯片(piàn)主(zhǔ)要(yào)組成(chéng)

              三、光(guāng)子芯片(piàn)與(yǔ)傳统電(diàn)子芯片(piàn)的(de)对比

        第(dì)二(èr)节(jié) 光(guāng)子集成(chéng)技術(shù)急需发展(zhǎn)及(jí)解(jiě)決的(de)技術(shù)

              一(yī)、矽基納米(mǐ)光(guāng)波(bō)導

              二(èr)、矽基光(guāng)源技術(shù)

              三、光(guāng)子晶體(tǐ)

              四(sì)、光(guāng)電(diàn)集成(chéng)技術(shù)

              五(wǔ)、先(xiān)進(jìn)共(gòng)晶封(fēng)裝(zhuāng)技術(shù)

        第(dì)三节(jié) 國(guó)外(wài)光(guāng)子芯片(piàn)主(zhǔ)要(yào)應(yìng)用(yòng)发展(zhǎn)趨勢

              一(yī)、光(guāng)傳輸與(yǔ)光(guāng)互聯

              二(èr)、光(guāng)學(xué)生(shēng)化(huà)傳感器

              三、军事(shì)領域

 第(dì)二(èr)章(zhāng) 國(guó)外(wài)重(zhòng)點(diǎn)國(guó)家(jiā)及(jí)地(dì)區(qū)光(guāng)子芯片(piàn)发展(zhǎn)情(qíng)況

        第(dì)一(yī)节(jié) 美(měi)國(guó)光(guāng)子芯片(piàn)发展(zhǎn)情(qíng)況

              一(yī)、基本(běn)情(qíng)況

              二(èr)、研究單位(wèi)

        第(dì)二(èr)节(jié) 日(rì)本(běn)光(guāng)子芯片(piàn)发展(zhǎn)情(qíng)況

              一(yī)、基本(běn)情(qíng)況

              二(èr)、研究單位(wèi)

        第(dì)三节(jié) 歐洲(zhōu)光(guāng)子芯片(piàn)发展(zhǎn)情(qíng)況

              一(yī)、基本(běn)情(qíng)況

              二(èr)、研究單位(wèi)

 第(dì)三章(zhāng) 國(guó)外(wài)光(guāng)子芯片(piàn)及(jí)器件(jiàn)相關(guān)技術(shù)研究

        第(dì)一(yī)节(jié) 國(guó)外(wài)矽基光(guāng)子集成(chéng)及(jí)器件(jiàn)相關(guān)技術(shù)研究

              一(yī)、光(guāng)子集成(chéng)主(zhǔ)要(yào)材料及(jí)制作(zuò)工藝

              二(èr)、SOI材料及(jí)其(qí)性(xìng)能優勢

              三、基于(yú)矽基的(de)光(guāng)子集成(chéng)器件(jiàn)技術(shù)

              四(sì)、矽基集成(chéng)光(guāng)栅器件(jiàn)

              五(wǔ)、基于(yú)矽基器件(jiàn)的(de)全(quán)光(guāng)信(xìn)号(hào)處(chù)理(lǐ)技術(shù)

              六、光(guāng)子集成(chéng)芯片(piàn)設計(jì)技術(shù)

        第(dì)二(èr)节(jié) 國(guó)外(wài)納米(mǐ)光(guāng)子器件(jiàn)及(jí)相關(guān)技術(shù)研究

              一(yī)、納米(mǐ)光(guāng)子學(xué)及(jí)器件(jiàn)特(tè)性(xìng)

              二(èr)、金(jīn)属納米(mǐ)結構的(de)電(diàn)磁增強(qiáng)性(xìng)質(zhì)

              三、光(guāng)子晶體(tǐ)的(de)制備及(jí)應(yìng)用(yòng)

              四(sì)、矽基納米(mǐ)光(guāng)波(bō)導器件(jiàn)技術(shù)

              五(wǔ)、石(dàn)墨(mò)烯-矽混合納米(mǐ)光(guāng)子集成(chéng)波(bō)導及(jí)器件(jiàn)

        第(dì)三节(jié) 國(guó)外(wài)矽基光(guāng)電(diàn)子及(jí)器件(jiàn)相關(guān)技術(shù)研究

              一(yī)、矽基光(guāng)電(diàn)子发展(zhǎn)現(xiàn)狀

              二(èr)、矽基光(guāng)電(diàn)子關(guān)鍵技術(shù)

              三、集成(chéng)光(guāng)電(diàn)子器件(jiàn)微納加工工藝

              四(sì)、矽基微納光(guāng)電(diàn)子器件(jiàn)應(yìng)用(yòng)及(jí)性(xìng)能優化(huà)

        第(dì)四(sì)节(jié) 國(guó)外(wài)光(guāng)子芯片(piàn)封(fēng)裝(zhuāng)技術(shù)研究

              一(yī)、SOI光(guāng)波(bō)導耦合技術(shù)

              二(èr)、量(liàng)産共(gòng)晶焊自(zì)動(dòng)化(huà)技術(shù)

              三、低成(chéng)本(běn)和(hé)可(kě)擴展(zhǎn)的(de)光(guāng)子器件(jiàn)封(fēng)裝(zhuāng)技術(shù)

 第(dì)四(sì)章(zhāng) 國(guó)外(wài)光(guāng)子芯片(piàn)技術(shù)重(zhòng)點(diǎn)領域應(yìng)用(yòng)研究

        第(dì)一(yī)节(jié) 國(guó)外(wài)光(guāng)子集成(chéng)技術(shù)的(de)應(yìng)用(yòng)发展(zhǎn)趨勢

              一(yī)、大(dà)容量(liàng)、高(gāo)带(dài)宽(kuān)光(guāng)傳輸

              二(èr)、低成(chéng)本(běn)、小型化(huà)、高(gāo)可(kě)靠性(xìng)光(guāng)接入(rù)

              三、高(gāo)密度(dù)、高(gāo)带(dài)宽(kuān)光(guāng)互聯

        第(dì)二(èr)节(jié) 國(guó)外(wài)光(guāng)子技術(shù)在(zài)雷(léi)达(dá)領域應(yìng)用(yòng)

              一(yī)、光(guāng)控相控阵(zhèn)雷(léi)达(dá)

              二(èr)、太赫茲雷(léi)达(dá)

        第(dì)三节(jié) 國(guó)外(wài)军事(shì)領域其(qí)他(tā)應(yìng)用(yòng)

              一(yī)、光(guāng)子集成(chéng)芯片(piàn)战術(shù)導航系(xì)统

              二(èr)、DARPA通(tòng)用(yòng)微型光(guāng)學(xué)系(xì)统激光(guāng)器計(jì)劃(huà)

        第(dì)四(sì)节(jié) 國(guó)外(wài)量(liàng)子集成(chéng)光(guāng)學(xué)芯片(piàn)研究及(jí)應(yìng)用(yòng)

              一(yī)、集成(chéng)量(liàng)子芯片(piàn)研究進(jìn)展(zhǎn)

              二(èr)、微納光(guāng)子學(xué)走(zǒu)入(rù)量(liàng)子模拟

              三、可(kě)編程光(guāng)子芯片(piàn)研发情(qíng)況

              四(sì)、微波(bō)光(guāng)子集成(chéng)芯片(piàn)研发情(qíng)況

        第(dì)五(wǔ)节(jié) 其(qí)他(tā)領域應(yìng)用(yòng)研究

              一(yī)、數據(jù)中(zhōng)心(xīn)領域

              二(èr)、通(tòng)信(xìn)領域

              三、高(gāo)性(xìng)能計(jì)算和(hé)人(rén)工智能領域

 第(dì)五(wǔ)章(zhāng) 國(guó)內(nèi)光(guāng)子芯片(piàn)技術(shù)评估與(yǔ)发展(zhǎn)建議

        第(dì)一(yī)节(jié) 我(wǒ)國(guó)光(guāng)子芯片(piàn)領域发展(zhǎn)概述

              一(yī)、我(wǒ)國(guó)光(guāng)子芯片(piàn)行業发展(zhǎn)現(xiàn)狀

              二(èr)、我(wǒ)國(guó)光(guāng)器件(jiàn)及(jí)芯片(piàn)研发核心(xīn)技術(shù)缺乏

              三、我(wǒ)國(guó)面(miàn)臨高(gāo)端光(guāng)芯片(piàn)國(guó)産化(huà)挑战

        第(dì)二(èr)节(jié) 我(wǒ)國(guó)光(guāng)子芯片(piàn)領域发展(zhǎn)趨勢

              一(yī)、數據(jù)中(zhōng)心(xīn)內(nèi)部(bù)光(guāng)纖替代(dài)需求迫切(qiè)

              二(èr)、應(yìng)用(yòng)前(qián)景广闊市(shì)场(chǎng)空(kōng)間(jiān)不(bù)斷增长(cháng)

              三、技術(shù)研发和(hé)工藝設計(jì)亟待突破

        第(dì)三节(jié) 对我(wǒ)國(guó)光(guāng)子芯片(piàn)領域的(de)发展(zhǎn)建議